1290nm DFB 10mW バタフライ レーザー ダイオードは、ディスクリート モード (DM) テクノロジーを使用して構築されており、モードホップ フリー チューニング機能、優れた SMSR、狭い線幅を備えたコスト効率の高いレーザー ダイオードを提供します。波長のカスタマイズも可能で、1270nm からカバーします。 1650nmまで。
1290nm DFB 10mW バタフライ レーザー ダイオードは、ディスクリート モード (DM) テクノロジーを使用して構築されており、モードホップ フリー チューニング機能、優れた SMSR、狭い線幅を備えたコスト効率の高いレーザー ダイオードを提供します。波長のカスタマイズも可能で、1270nm からカバーします。 1650nmまで。
1290nm DFB 10mW バタフライ レーザー ダイオードは、ディスクリート モード (DM) テクノロジーを使用して構築されており、モードホップ フリー チューニング機能、優れた SMSR、狭い線幅を備えたコスト効率の高いレーザー ダイオードを提供します。また、波長をカスタマイズすることもできます。 1270nm~1650nm。
波長1290nmまたはカスタマイズ
高出力10~100mW;
高性能多重量子井戸 (MQW) 分布帰還型 (DFB) レーザー。
14PINバタフライパッケージ;
CWまたはパルス動作。
C/DWDM システム。
光ファイバーセンサー;
レーザー光源;
CATV システム。
パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
中心波長 | IC | TL=15-35-CW | 1288 | 1290 | 1292 | nm |
光出力パワー | PO | - | 10 | - | - | mW |
閾値電流 | ITH | - | - | 10 | 35 | ミリアンペア |
斜面効率 | ƞ | CW出力 5mW | 0.05 | 0.11 | 0.2 | mW/mA |
動作電流 | イオプ | PO=10mW(CW) | - | 100 | 200 | ミリアンペア |
スペクトル線幅 | LW | 半値幅 | - | 3 | - | MHz |
レーザー順電圧 | VF | CW出力 10mW | - | 1.2 | 3.0 | V |
暗電流を監視する | ID | - | - | - | 0.1 | μA |
帯域幅(@-3dB) | BW | - | - | 2.5 | - | GHz |
サイドモード抑制比 | SMSR | CW | 35 | 40 | - | dB |
光絶縁 | - | -10 < TC < +70° | 30 | - | - | dB |
相対強度ノイズ | リン | CW、出力5mW | - | -145 | - | dB |
TEC設定温度 | つ | - | 15 | - | 35 | ℃ |
入力インピーダンス | ジン | - | 22 | 25 | 28 | Ω |
サーミスタ電流 | これは、C | - | 10 | - | 100 | μA |
サーミスタ抵抗 | RTH | TL = 25° | 9.5 | 10 | 10.5 | キ |
TEC電流 | アイテック | TL=25℃、TC=70℃ | - | - | 1.5 | A |
TEC電圧 | VTEC | TL=25℃、TC=70℃ | - | - | 3.5 | V |
TEC容量 | ÎT | Tc = 70°C | - | - | 50 | ℃ |
サーミスター温度 | - | - | - | - | 100 | ℃ |
波長ドリフト (EOL) | 「」 | テスト済み 25年の寿命 |
- | - | ±0.1 | nm |
波長温度係数 | Îλ/ÎT | TEC温度 15時から35時まで |
- | 0.09 | - | nm/â |
波長電流係数 | Îλ/ÎÎ | - | - | 0.01 | - | nm/mA |
タイプ2
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A: 1270nm から 1650nm までの大きな波長を取り揃えています。
Q: 出力電力の要件は何ですか?A: 10mW と 20mW のオプションがあり、要件に応じてカスタマイズすることもできます。
Q: どの種類の繊維をご希望ですか?A:SMファイバーまたはPMファイバー。
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