1064nmシングルモードファイバ結合DFBレーザーダイオードは、サブキャリア上にチップを備えた平面構造を利用しています。ハイパワーチップは、エポキシフリーおよびフラックスフリーの14ピンバタフライパッケージに密閉されており、サーミスタ、熱電冷却器、およびモニターダイオードが取り付けられています。この1064nmDFBレーザーダイオードは、温度、駆動電流、および光フィードバックの変化下でも、ノイズのない狭帯域スペクトルを提供します。波長の選択は、利用可能な最高の電力でスペクトル制御の最高のパフォーマンスを必要とするアプリケーションで利用できます。
1270nm〜1610nm CWDM 20mW SMまたはPMファイバー結合レーザーは、密閉された14ピンバタフライパッケージで製造された1260nm〜1650nmの長波長のお客様の選択をカバーします。また、出力電力、パッケージタイプ、および出力ファイバーの完全なお客様の選択もあります。 SM繊維、PM繊維および他の特別な繊維の。
CATVアプリケーション用のDWDMDFBバタフライアナログレーザーダイオードは、アナログアプリケーション用の高密度波長分割多重（DWDM）レーザーです。これは、無線周波数（RF）アプリケーション用に特別に設計された分散フィードバックチップを備えています。 DWDM DFBバタフライアナログレーザーダイオードは、過酷なノード環境や狭い送信機設計で信頼性の高いパフォーマンスを実現するために、広い温度範囲を備えています。また、短い断熱チャープと長いファイバーの信号品質を最大化する低断熱チャープを備えています。レーザーの優れた固有の線形性により、直交振幅変調（QAM）チャネルによって引き起こされるブロードキャスト信号の劣化が最小限に抑えられます。用途の広いDWDMDFBバタフライアナログレーザーダイオードは、ケーブルネットワークアーキテクチャのファイバーのニーズを減らし、ハブ内の機器の要件を軽減します。
DWDM 10mW DFBバタフライレーザーダイオードは、高性能DFBレーザーダイオードです。中心波長は、100GHzのチャネル間隔のDWDM波長グリッド（ITUグリッド）にあります。 InGaAs MQW（マルチ量子井戸）DFB（分散フィードバック）レーザーチップは、サーミスタ、熱電冷却器（TEC）、モニターフォトダイオード、および内蔵の光アイソレーターを備えた14ピンバタフライパッケージ内に密閉されています。このレーザーモジュールは、2.5Gbpsの直接変調ビットレートを備えています。この製品は、さまざまなOC-48またはSTM-16システムで使用できます。
10mW 20mW LAN WDM DFBレーザーダイオードは、1273.55nm、1277.89nm、1282.26nm、1286.66nm、1291.10nm、1295.56nm、1300.05nm、1304.58nm、1309.14nmの4つの波長で構成されています。波長は温度安定化されています。レーザーダイオードは、TEC、サーミスタ、モニターPD、および光アイソレーターを含む、密閉された14ピンバタフライパッケージで製造されています。また、出力電力、パッケージタイプ、SMファイバー、PMファイバー、その他の特殊ファイバーをお客様が完全に選択できます。このモジュールは、Telcordia GR-468-CORE要件に記載されており、RoHS指令に準拠しています。
1270nm DFB 10mWバタフライレーザーダイオードは、密閉された14ピンバタフライパッケージで製造されています。レーザーダイオードには、高品質のレーザー性能を確保するために、熱電冷却器（TEC）、サーミスター、モニターフォトダイオード、光アイソレーターが含まれています。また、SMファイバー、PMファイバー、その他の特殊ファイバーの出力電力、パッケージタイプ、出力ファイバーをお客様が完全に選択できます。また、波長をカスタマイズすることもできます。1270nmから1650nmまでカバーします。
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