1310nm同軸DFBピグテールレーザーダイオードは、DFBチップを使用しているため、優れたシミュレーション性能を備えています。出力電力は、顧客のニーズに基づいて1〜4 mw以内に制御されるため、このレーザーモジュールは、CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
1310nm同軸DFBピグテールレーザーダイオードは、DFBチップを使用しているため、優れたシミュレーション性能を備えています。出力電力は、顧客のニーズに基づいて1〜4 mw以内に制御されるため、このレーザーモジュールは、CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
1310nm同軸DFBピグテールレーザーダイオードは、DFBチップを使用しているため、優れたシミュレーション性能を備えています。出力電力は、顧客のニーズに基づいて1〜4 mw以内に制御されるため、このレーザーモジュールは、CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
同軸ピグテールパッケージ;
内蔵のInGaAs / PINモニター。
統合型光アイソレータ;
動作温度範囲:-20〜80°。
CDMA / GSM伝送システム;
WDMシステム;
CATVリターンパス;
その他のアナログ伝送システム。
パラメータ | シンボル | 調子 | 最小 | Typ。 | 最大 | 単位 |
中心波長 | IC | PO = PF | 1300 | 1310 | 1320 | nm |
光出力パワー | PF | IF = ITH + 20mA | 2 | - | - | mW |
しきい値電流 | ITH | 4 | 10 | mA | ||
動作電圧 | VF | - | - | 1.2 | 1.5 | pF |
立ち上がり時間/立ち下がり時間 | TR / TF | IF = ITH、PO = PF(20-80)% | - | - | 0.4 | ns |
現在の監視 | 私 | PO = PF | 0.1 | - | 1 | mA |
キャパシタンス | C | - | - | 10 | 15 | PF |
スペクトル幅(-20dB) | Δλ | IF = ITH + 20mA | 1.6 | 2.5 | nm | |
トラッキングエラー | TE | - | -1.0 | - | 1.0 | dB |
光絶縁 | ISO | - | 30 | - | - | dB |
2秒次の相互変調歪み | IMD2 | - | - | - | -50 | dBc |
3次相互変調歪み | IMD3 | - | - | - | -60 | dBc |
相対強度ノイズ | RIN | - | - | - | -145 | dB / Hz |
サイドモード抑制率 | SMSR | PO = 2mW | 40 | - | - | dB |
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A:793nm 808nm 915nm975nmレーザーダイオードがあります。
Q:出力電力の要件は何ですか?A:ボックスオプトロニクスは、要件に応じてカスタマイズできます。
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