半導体光増幅器 (SOA) 製品シリーズは、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に増加させることができます。高利得、低消費電力、偏波維持などの特長を持ち、国内で制御可能な技術で完全加工が可能です。
半導体光増幅器 (SOA) 製品シリーズは、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に増加させることができます。高利得、低消費電力、偏波維持などの特長を持ち、国内で制御可能な技術で完全加工が可能です。
40G および 100G C バンドはシャッターまたは変調をブロックします。
14PINバタフライパッケージ;
低雑音指数と低偏波依存性。
FC/APC コネクタ付き SMF-28e ファイバー。
信頼性:テルコーディア GR-468。 RoHS
光ファイバー接続とスイッチの損失補償。
WDM ファイバー光ネットワーク。
MOPA (マスター オシレーター パワー アンプ) レーザー。
| パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| 動作波長 | λPEAK | 25℃、PIN=0dBm | - | 1550 | - | W |
| ASE中心波長 | λASE | 25℃、IF=250mA | - | 1515 | - | nm |
| -3dB ゲイン帯域幅 | DL | PIN=0dBm | 100 | - | - | nm |
| 飽和光パワー | PMAX | IF=250mA、 PIN=5dBm@1550nm |
12 | - | 15 | dBm |
| 小信号ゲイン | SSG | IF=250mA、 PIN=5dBm@1550nm |
- | 25 | - | dB |
| 順電圧 | もし | - | - | 250 | 400 | ミリアンペア |
| Q: 出力電力の要件は何ですか? | VF | - | - | 1.3 | 1.5 | V |
| 雑音指数 | NF | 25℃、IF=250mA、 @1550nm |
- | 7 | 9 | dB |
| 分極消光比 | PER | 25℃、IF=250mA | - | 1.0 | 2.0 | dB |
| シャットダウン消光比1 | は | IF=250mA/IF=0mA、 PIN=0dBm |
- | 50 | - | dB |
| シャットダウン消光比2 | は | IF=250mA/IF=5mA、 PIN=0dBm |
- | 70 | - | dB |
| TEC電流 | アイテック | - | - | - | 1.8 | A |
| TEC電圧 | VTEC | - | - | - | 3.4 | V |
| サーミスタ抵抗 | テルム | T=25℃ | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ電流 | イテルム | - | - | - | 5 | ミリアンペア |
| 総電力 | P | - | - | - | 4 | W |
| 動作ケース温度 | トップ | I=IF | -10 | - | 70 | ℃ |
| 保管温度 | TS | - | -40 | - | 85 | ℃ |
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A: 793nm 808nm 915nm 975nm レーザーダイオードがあります。
Q: 出力電力の要件は何ですか?A: ボックス オプトロニクスは、要件に応じてカスタマイズできます。
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