1550nm 50mW 100Khz狭線幅DFBバタフライレーザーダイオードは、独自のシングルDFBチップをベースにしており、独自のチップ設計、高度なパッケージング技術を採用しており、線幅と相対強度ノイズが低く、波長と動作電流に対する感度が低いです。このデバイスは標準の 14 ピン バタフライ パッケージを採用しており、高出力、高安定性、高信頼性を備えています。
1550nm 50mW 100Khz狭線幅DFBバタフライレーザーダイオードは、独自のシングルDFBチップをベースにしており、独自のチップ設計、高度なパッケージング技術を採用しており、線幅と相対強度ノイズが低く、波長と動作電流に対する感度が低いです。このデバイスは標準の 14 ピン バタフライ パッケージを採用しており、高出力を備えています。 パワー、高い安定性、高い信頼性。
高出力50mW。
波長1550nm。
業界標準の 14PIN バタフライ パッケージ。
TECと光アイソレータを内蔵。
低い RIN と位相ノイズ。
狭い線幅 < 100Khz。
コヒーレント検出。
光ファイバーセンサー;
レーザー光源;
マイクロ波フォトニクス。
パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
中心波長 | λc | TL=15~35℃ CW | 1545 | 1550 | 1555 | nm |
光出力パワー | 後 | CW | 50 | - | - | mW |
線幅 | CW | - | - | 100 | KHz | |
閾値電流 | ITH | CW | - | 30 | 45 | ミリアンペア |
動作電流 | イオプ | CW | - | - | 500 | ミリアンペア |
レーザー順電圧 | Vf | 25℃ | - | 1.4 | 2 | V |
光絶縁 | ISO | CW | 30 | - | - | dB |
分極消光比 | PER | 遅相軸(PMF) | 18 | - | - | dB |
モニターPD | 私は | VR = 5V | 50 | - | 1500 | NA |
サイドモード抑制比 | SMSR | CW | 35 | 40 | - | dB |
波長温度係数 | DL/Dt | TEC温度 15℃~35℃ |
- | 0.11 | - | nm/℃ |
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A: 1270nm から 1650nm までの大きな波長を取り揃えています。
Q: 出力電力の要件は何ですか?A: 10mW と 20mW のオプションがあり、要件に応じてカスタマイズすることもできます。
Q: どのような繊維の種類をご希望ですか?A:SMファイバーまたはPMファイバー。
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