300um InGaAsフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
300um InGaAsフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
300um InGaAsフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
検出範囲900nm〜1650nm;
高速;
高い応答性;
低静電容量;
低暗電流;
トップイルミネーション平面構造。
モニタリング;
光ファイバー機器;
データ通信。
| パラメータ | シンボル | 価値 | 単位 |
| 逆電圧 | VRmax | 20 | V |
| 順方向電流 | - | 10 | mA |
| 作動温度 | トパー | -40〜 + 85 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -55〜 + 125 | ℃ |
| パラメータ | シンボル | 調子 | 最小 | Typ。 | 最大 | 単位 |
| 波長範囲 | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| 責任 | R | λ= 1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A / W |
| λ= 1550nm | - | 0.95 | - | |||
| λ= 850nm | - | 0.20 | - | |||
| 暗電流 | ID | Vr = 5V | - | 1.0 | 5.0 | nA |
| キャパシタンス | C | VR = 5V、f = 1MHz | - | 4.2 | 6.0 | pF |
| 帯域幅 | Bw | 3dBダウン、RL =50Ω | - | 1.8 | - | GHz |
| パラメータ | シンボル | 価値 | 単位 |
| アクティブエリアの直径 | D | 300 | ええと |
| ボンドパッドの直径 | - | 80 | ええと |
| ダイサイズ | - | 420x420 | ええと |
| 金型の厚さ | t | 180±20 | ええと |
すべての製品は出荷前にテストされています。
すべての製品には1〜3年の保証が付いています（品質保証期間が開始された後、適切な保守サービス料金が請求されます）。
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当店で購入した商品の品質が完全ではない場合、つまり電子的にメーカーの仕様に適合していない場合は、交換または返金のために返品してください。
アイテムに欠陥がある場合は、配達から3日以内にお知らせください。
払い戻しまたは交換の対象となるには、アイテムを元の状態で返品する必要があります。
購入者は、発生したすべての送料を負担します。
A：0.3mm 0.5mm 1mm2mmのアクティブエリアInGaAsフォトダイオードチップがあります。
Q：コネクタの要件は何ですか？A：Box Optronicsは、要件に応じてカスタマイズできます。
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