半導体レーザーダイオードアプリケーション

技術とプロセスの発展に伴い、現在実用化されている半導体レーザーダイオードは複雑な多層構造になっています。レーザーダイオード：â‘PINフォトダイオード。光を受け取って光電流を発生させると、量子雑音が発生します。 â‘¡アバランチフォトダイオード。 PINフォトダイオードよりも伝送距離は長くなりますが、量子雑音が大きくなる内部増幅を提供できます。良好な信号対雑音比を得るには、低雑音プリアンプとメイン増幅器を光検出デバイスの背後に接続する必要があります。半導体レーザーダイオードの動作原理は、理論的にはガスレーザーと同じです。一般的に使用されるパラメータ-波長：レーザー管の動作波長。光電スイッチとして使用できる現在のレーザー管の波長は、635 nm、650 nm、670 nm、690 nm、780 nm、810 nm、860 nm、980 nmなどです。しきい値電流Ith：レーザー管が流れる電流レーザー発振を開始します。一般的な低出力レーザー管の場合、その値は約数十ミリアンペアです。歪んだ多重量子ウェル構造を備えたレーザーチューブのしきい値電流は、10mA以下まで低くすることができます。作動電流Iop：レーザーチューブが定格出力電力に達したときの駆動電流。この値は、レーザー駆動回路の設計とデバッグにとってより重要です。垂直発散角θ⊥：レーザーダイオードの発光帯域が開く角度PN接合部に垂直な方向、通常は約15〜40。水平方向の発散角θ∥：レーザーダイオードの発光帯域がに平行な方向に開く角度PNジャンクション、通常は約6〜10。監視電流Im：レーザーチューブが定格出力電力のときにPINチューブに流れる電流。レーザーダイオードは、コンピューターの光ディスクドライブ、レーザープリンターのプリントヘッド、バーコードスキャナー、レーザー距離測定、レーザー治療、光通信、レーザー命令などの低電力オプトエレクトロニクスデバイスで、ステージ照明で広く使用されています。レーザー手術レーザー溶接やレーザー兵器などの高出力機器にも使用されています。