従来のレーザーは、レーザーエネルギーの熱蓄積を利用して、活性領域の材料を溶かし、さらには揮発させます。その過程で、多数の切りくず、微小亀裂、その他の加工欠陥が発生し、レーザーが長持ちするほど、材料への損傷が大きくなります。超短パルスレーザーは、材料との相互作用時間が非常に短く、単一パルスエネルギーは、あらゆる材料をイオン化し、非ホットメルト冷間加工を実現し、超微細で低ロングパルスレーザーとは比較にならない損傷処理の利点。同時に、材料の選択に関して、超高速レーザーはより広い適用性を持っており、金属、TBCコーティング、複合材料などに適用することができます。
従来のオキシアセチレン、プラズマ、その他の切断プロセスと比較して、レーザー切断には、切断速度が速く、スリットが狭く、熱影響部が小さく、スリットエッジの垂直性が高く、刃先が滑らかで、レーザーで切断できるさまざまな材料の利点があります。 。レーザー切断技術は、自動車、機械、電気、ハードウェア、電化製品の分野で広く使用されています。
ロシアのミハイル・ミシュスティン首相の命令によると、ロシア政府は、世界初の新しいシンクロトロンレーザー加速器SILAの建設に10年間で1,400億ルーブルを割り当てる予定です。このプロジェクトでは、ロシアに3つの放射光センターを建設する必要があります。
1962年に世界初の半導体レーザーが発明されて以来、半導体レーザーは大きな変化を遂げ、他の科学技術の発展を大きく促進し、20世紀で最も偉大な人間の発明の1つと見なされています。過去10年間で、半導体レーザーはより急速に開発され、世界で最も急速に成長しているレーザー技術になりました。半導体レーザーの応用範囲は、オプトエレクトロニクスの全分野をカバーしており、今日のオプトエレクトロニクス科学のコアテクノロジーになっています。小型、シンプルな構造、低入力エネルギー、長寿命、容易な変調、低価格という利点により、半導体レーザーはオプトエレクトロニクスの分野で広く使用されており、世界中の国々で高く評価されています。
フェムト秒レーザーは、約1ギガ秒の超短時間でのみ発光する「超短パルス光」発生装置です。 Feiは、国際単位系の接頭辞であるFemtoの略語であり、1フェムト秒= 1×10 ^ -15秒です。いわゆるパルス光は一瞬だけ発光します。カメラのフラッシュの発光時間は約1マイクロ秒であるため、フェムト秒の超短パルス光はその時間の約10億分の1しか発光しません。ご存知のように、光の速度は比類のない速度で毎秒300,000キロメートル（1秒間に地球の周りを7.5周）ですが、1フェムト秒では、光でさえ0.3ミクロンしか進みません。
中国電子科学技術大学文部省光ファイバセンシング通信キーラボラオユンジャン教授のチームは、主な発振電力増幅技術に基づいて、マルチモードファイバランダムを初めて実現しました。 100 Wを超える出力電力と、人間の目のスペックル知覚しきい値よりも低いスペックルコントラスト。低ノイズ、高スペクトル密度、高効率という包括的な利点を備えたレーザーは、全視野や高損失。
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