L バンドのエルビウム ドープ ファイバは、L バンドのシングル チャネルおよびマルチ チャネル ファイバ アンプ、ASE 光源、メトロポリタン エリア ネットワーク、CATV、および DWDM 用の EDFA 向けにドープされ、最適化されています。高ドーピングによりエルビウム ファイバーの長さを短縮できるため、ファイバーの非線形効果が減少します。このファイバーは 980 nm または 1480 nm でポンピングでき、損失が低く、通信ファイバー接続との一貫性が良好です。
500um InGaAs PINフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
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この1550nm 2W単一波長高出力CW DFBファイバーレーザーモジュールは、DFBレーザーチップと高出力利得光路モジュールを採用し、シングルモードファイバーの高出力出力を実現します。専門的に設計されたレーザー駆動および温度制御回路により、レーザーの安全かつ安定した動作が保証されます。
高吸収エルビウムドープファイバは、使用されるファイバの長さを短縮できるため、ファイバの非線形効果が低減され、主に1.5μmファイバアンプやファイバレーザで使用されます。ファイバは 980 nm または 1480 nm で励起され、接続損失が低く、一貫性が良好です。
この 1550nm 5mW TO-CAN DFB レーザー ダイオードは、低い温度波長係数で広い温度範囲で動作可能な製品です。通信研究、干渉法、ファイバーまたは自由空間での距離測定のための光反射率測定などのアプリケーションに最適です。各デバイスはテストとバーンインを受けます。このレーザーは 5.6 mm TO Can にパッケージ化されています。キャップ内に非球面集束レンズが内蔵されており、集束スポットと開口数 (NA) を SMF-28e+ ファイバーに合わせることができます。
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