1330nm 2mW 4mW 同軸 DFB ピグテール レーザー ダイオードは、DFB チップの使用により優れたシミュレーション性能を備えています。出力パワーは顧客のニーズに基づいて 1 ~ 4 mw の範囲内で制御されるため、このレーザー モジュールは CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
1330nm 2mW 4mW 同軸 DFB ピグテール レーザー ダイオードは、DFB チップの使用により優れたシミュレーション性能を備えています。出力パワーは顧客のニーズに基づいて 1 ~ 4 mw の範囲内で制御されるため、このレーザー モジュールは CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
1330nm 2mW 4mW 同軸 DFB ピグテール レーザー ダイオードは、DFB チップの使用により優れたシミュレーション性能を備えています。出力パワーは顧客のニーズに基づいて 1 ~ 4 mw の範囲内で制御されるため、このレーザー モジュールは CATV、デジタル、およびアナログ信号伝送での使用に最適です。
同軸ピグテールパッケージ。
内蔵InGaAs/PINモニター。
統合型光アイソレータ。
使用温度範囲:-20~80℃。
CDMA/GSM伝送システム。
WDMシステム。
CATV リターンパス;
その他アナログ伝送方式。
パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
中心波長 | λC | PO=PF | 1320 | 1330 | 1340 | nm |
光出力パワー | PF | IF=ITH+20mA | 2 | - | - | mW |
閾値電流 | ITH | 4 | 10 | ミリアンペア | ||
動作電圧 | VF | - | - | 1.2 | 1.5 | pF |
立ち上がり時間/立ち下がり時間 | TR/TF | IF=ITH,PO=PF(20-80)% | - | - | 0.4 | ns |
電流を監視する | 私は | PO=PF | 0.1 | - | 1 | ミリアンペア |
キャパシタンス | C | - | - | 10 | 15 | PF |
スペクトル幅(-20dB) | DL | IF=ITH+20mA | 1.6 | 2.5 | nm | |
トラッキングエラー | ザ | - | -1.0 | - | 1.0 | dB |
光絶縁 | ISO | - | 30 | - | - | dB |
2秒オーダーの相互変調歪 | IMD2 | - | - | - | -50 | dBc |
3次相互変調歪み | IMD3 | - | - | - | -60 | dBc |
相対強度ノイズ | リン | - | - | - | -145 | dB/Hz |
サイドモード抑制比 | SMSR | PO = 2mW | 40 | - | - | dB |
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すべての製品に1〜3年間の保証が付いています。(品質保証期間後は、適切な保守サービス料金が発生します。)
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A: 1270nm~1610nmのレーザーダイオードを取り揃えております。
Q: 出力電力の要件は何ですか?A: ボックス オプトロニクスは、要件に応じてカスタマイズできます。
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