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1550nm DFB バタフライレーザーダイオード

1550nm DFB バタフライレーザーダイオード、900µm ファイバーピグテール経由で 10mW、20mW 出力。ファイバーの長さは約 1M、FC/APC または FC/PC コネクターを備えています。このレーザーは過剰在庫の新品同梱品で、データシートとテストデータが含まれています。

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製品説明

1. 1550nm DFB バタフライ半導体レーザの概要

1550nm DFB バタフライパッケージレーザーダイオード。900µm ファイバーピグテールを介して 10mW 20mW 40mW 100mW 出力を備えます。ファイバーの長さは約 1M、FC/APC または FC/PC コネクターを備えています。このレーザーは過剰在庫の新品同梱品で、データシートとテストデータが含まれています。

2. 1550nm DFBバタフライ半導体レーザの紹介

3. 1550nm DFBバタフライ半導体レーザの特長

中心波長1550nmまたはカスタマイズ;

CW 出力電力 10mW 20mW またはカスタマイズ

薄型 14 ピンバタフライパッケージ。

DFB レーザー、単一周波数;

FC/APC または FC/PC コネクタ。

4. 1550nm DFB バタフライレーザーダイオードの応用

光ファイバー通信;

レーザー光源;

CATV システム。

5. 1550nm DFBバタフライレーザーダイオードの電気光学特性(T = 25℃)

パラメータ	シンボル	状態	分。	典型的。	最大。	ユニット
>中心波長	λc	TL=15～35℃ CW	1548	1550	1552	nm
>光出力パワー	PO	-	10	-	-	mW
>閾値電流	ITH	-	-	10	35	ミリアンペア
>斜面効率	ƞ	CW出力 5mW	0.05	>0.11	>0.2	>mW/mA
>動作電流	イオプ	PO=10mW(CW)	-	>100	>200	>mA
>スペクトル線幅	ＬＷ	半値幅	-	>3	>-	>MHz
>レーザー順電圧	VF	CW出力 10mW	-	1.2	3.0	V
>暗電流を監視する	ID	-	-	-	0.1	μA
>帯域幅(@-3dB)	BW	-	-	2.5	-	GHz
>サイドモード抑制比	SMSR	CW	35	40	-	dB
>光絶縁	-	-10 < TC < +70℃	30	-	-	dB
>相対強度ノイズ	リン	CW、出力5mW	-	-145	-	dB
>TEC設定温度	つ	-	15	-	35	℃
>入力インピーダンス	ジン	-	22	25	28	Ω
>サーミスタ電流	ITC	-	10	-	100	μA
>サーミスタ抵抗	RTH	TL=25℃	9.5	10	10.5	KΩ
>TEC電流	アイテック	TL=25℃、TC=70℃	-	-	1.5	A
>TEC電圧	VTEC	TL=25℃、TC=70℃	-	-	3.5	V
>TEC容量	ΔT	温度Tc＝70℃	-	-	50	℃
>サーミスター温度	-	-	-	-	100	℃
>波長ドリフト (EOL)	△λ	テスト済み 25年の寿命	-	-	±0.1	nm
>波長温度係数	DL/Dt	TEC温度 15℃～35℃	-	0.09	-	nm/℃
>波長電流係数	ディル/ディ	-	-	0.01	-	nm/mA