200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ~ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR および光コヒーレンストモグラフィー。チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール オプションも利用可能です。
200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ~ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR と光コヒーレンストモグラフィー。
チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール付きオプションも利用可能です。
200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ~ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR と光コヒーレンストモグラフィー。
チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール付きオプションも利用可能です。
検出範囲1100nm~1650nm。
広いダイナミックレンジ;
高い責任。
低暗電流。
標準TO-46パッケージ。
光学センサー;
自由空間光通信。
パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 最大。 | ユニット |
PD 逆電圧 | VR | CW | - | VBR | V |
順電流 | もしも | CW | - | 10 | ミリアンペア |
逆電流 | IR | CW | - | 10 | ミリアンペア |
動作温度 | 上 | ケース温度 | -40 | +85 | ℃ |
保管温度 | TSTG | 周囲温度 | -40 | +85 | ℃ |
鉛はんだ付け温度・時間 | つ | - | - | 260/10 | â/S |
パラメータ | シンボル | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
波長範囲 | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
アクティブエリア | φ | - | - | 200 | - | えーっと |
責任 | リ | M=1、λ=1550nm | 0.80 | - | - | 秋冬 |
乗算係数 | M | VR=VBR-3、λ=1550nm、Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
暗電流 | ID | VR=VBR-3、Ïe=0 | - | - | 35 | NA |
逆方向降伏電圧 | VBR | ID=10μA、Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
帯域幅 | BW | -3dBポイント、M=10、RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
キャパシタンス | C | M=10、Ïe=0、f=1MHz | - | - | 2 | pF |
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A: 0.3mm、0.5mm、1mmのアクティブエリアのアバランシェフォトダイオードがあります。
Q: コネクタの要件は何ですか?A: Box Optronics は、要件に応じてカスタマイズできます。
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