50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップ
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50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップ

50um InGaAsアバランシェフォトダイオードチップは、逆電圧の印加によって内部ゲインが生成されるフォトダイオードです。それらは、フォトダイオードよりも高い信号対雑音比(SNR)を持ち、高速時間応答、低暗電流、および高感度を備えています。スペクトル応答範囲は通常900〜1650nmの範囲です。

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製品説明

1. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの概要

50um InGaAsアバランシェフォトダイオードチップは、逆電圧の印加によって内部ゲインが生成されるフォトダイオードです。それらは、フォトダイオードよりも高い信号対雑音比(SNR)を持ち、高速時間応答、低暗電流、および高感度を備えています。スペクトル応答範囲は通常900〜1650nmの範囲です。

2. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの導入

50um InGaAsアバランシェフォトダイオードチップは、逆電圧の印加によって内部ゲインが生成されるフォトダイオードです。それらは、フォトダイオードよりも高い信号対雑音比(SNR)を持ち、高速時間応答、低暗電流、および高感度を備えています。スペクトル応答範囲は通常900〜1650nmの範囲です。

3. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの機能

検出範囲900nm〜1650nm;

高速;

高い応答性;

低静電容量;

低暗電流;

トップイルミネーション平面構造。

4. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの適用

モニタリング;

光ファイバー機器;

データ通信。

5. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの絶対最大定格

パラメータ シンボル 価値 単位
最大順方向電流 - 10 mA
最大電圧供給 - VBR V
作動温度 トパー -40〜 + 85
保管温度 Tstg -55〜 + 125

6. 50um InGaAsアバランシェフォトダイオードチップの電気光学特性(T = 25°)

パラメータ シンボル 調子 最小 Typ。 最大 単位
波長範囲 λ   900 - 1650 nm
降伏電圧 VBR Id = 10uA 40 - 52 V
VBRの温度係数 - - - 0.12 - V /℃
責任 R VR = VBR -3V 10 13 - A / W
暗電流 ID VBR -3V - 0.4 10.0 nA
キャパシタンス C VR = 38V、f = 1MHz - 8 - pF
帯域幅 Bw - - 2.0 - GHz

7. 50umInGaAsアバランシェフォトダイオードチップの寸法パラメータ

パラメータ シンボル 価値 単位
アクティブエリアの直径 D 53 ええと
ボンドパッドの直径 - 65 ええと
ダイサイズ - 250x250 ええと
金型の厚さ t 150±20 ええと

8. 50um InGaAsアバランシェフォトダイオードチップの配送、出荷、および提供

すべての製品は出荷前にテストされています。

すべての製品には1〜3年の保証が付いています(品質保証期間が開始された後、適切な保守サービス料金が請求されます)。

私たちはあなたのビジネスに感謝し、7日間の即時返品ポリシーを提供します。 (アイテムを受け取ってから7日後);

当店で購入した商品の品質が完全ではない場合、つまり電子的にメーカーの仕様に適合していない場合は、交換または返金のために返品してください。

アイテムに欠陥がある場合は、配達から3日以内にお知らせください。

払い戻しまたは交換の対象となるには、アイテムを元の状態で返品する必要があります。

購入者は、発生したすべての送料を負担します。

8. FAQ

Q:アクティブエリアは何ですか?

A:50um 200um500umのアクティブエリアInGaAsアバランシェフォトダイオードチップがあります。

Q:コネクタの要件は何ですか?

A:Box Optronicsは、要件に応じてカスタマイズできます。

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