50um InGaAsアバランシェフォトダイオードAPDは、900〜1700 nmの波長範囲で高い応答性と非常に高速な立ち上がりおよび立ち下がり時間を備えた、市販されている最大のInGaAs APDであり、1550nmでのピーク応答性は、アイセーフ距離測定アプリケーション、自由空間光通信、 OTDRおよび光コヒーレンストモグラフィー。チップは修正されたTOパッケージで密閉されており、ピグテールオプションも利用できます。
50um InGaAsアバランシェフォトダイオードAPDは、900〜1700 nmの波長範囲で高い応答性と非常に高速な立ち上がりおよび立ち下がり時間を備えた、市販されている最大のInGaAs APDであり、1550nmでのピーク応答性は、アイセーフ距離測定アプリケーション、自由空間光通信、 OTDRと光コヒーレンストモグラフィー。
チップは修正されたTOパッケージで密閉されており、ピグテールオプションも利用できます。
50um InGaAsアバランシェフォトダイオードAPDは、900〜1700 nmの波長範囲で高い応答性と非常に高速な立ち上がりおよび立ち下がり時間を備えた、市販されている最大のInGaAs APDであり、1550nmでのピーク応答性は、アイセーフ距離測定アプリケーション、自由空間光通信、 OTDRと光コヒーレンストモグラフィー。
チップは修正されたTOパッケージで密閉されており、ピグテールオプションも利用できます。
検出範囲900nm〜1700nm;
広いダイナミックレンジ;
高い責任;
低暗電流;
標準のTO-46パッケージ。
光学センサー;
自由空間光通信。
パラメータ | シンボル | 調子 | 最小 | 最大 | 単位 |
PD逆電圧 | VR | CW | - | 60 | V |
順電流 | もしも | CW | - | 3 | mA |
作動温度 | 上 | ケース温度 | -40 | +85 | ℃ |
保管温度 | TSTG | 周囲温度 | -40 | +85 | ℃ |
鉛はんだ付け温度/時間 | Ts | - | - | 260/10 | ℃/ S |
パラメータ | シンボル | 調子 | 最小 | Typ。 | 最大 | 単位 |
波長範囲 | λ | 900 | - | 1700 | nm | |
アクティブエリア | φ | - | - | 50 | - | ええと |
責任 | 再 | M = 1、λ= 1310nm | 0.85 | - | - | A / W |
倍率 | M | VR = VBR-3、λ= 1310nm、φe = 1uW | 10 | - | - | - |
暗電流 | ID | VR = VBR-3、φe = 0 | - | - | 10 | nA |
逆方向降伏電圧 | VBR | ID =10μA、φe = 0 | 40 | 43 | 45 | V |
-3dBm帯域幅 | BW | M = 10、RL =50Ω | 2.0 | - | - | GHz |
キャパシタンス | C | M = 10、φe = 0 | - | - | 0.5 | pF |
すべての製品は出荷前にテストされています。
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払い戻しまたは交換の対象となるには、アイテムを元の状態で返品する必要があります。
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A:0.3mm 0.5mm1mmのアクティブエリアアバランシェフォトダイオードがあります。
Q:コネクタの要件は何ですか?A:Box Optronicsは、要件に応じてカスタマイズできます。
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