Mamanが最初にレーザーパルス出力を取得して以来、レーザーパルス幅の人間による圧縮のプロセスは、Qスイッチ技術段階、モードロック技術段階、およびチャープパルス増幅技術段階の3つの段階に大別できます。チャープパルス増幅（CPA）は、フェムト秒レーザー増幅中に固体レーザー材料によって生成される自己集束効果を克服するために開発された新しい技術です。最初に、モードロックレーザーによって生成された超短パルスを提供します。 「正のチャープ」では、パルス幅をピコ秒またはナノ秒に拡大して増幅し、十分なエネルギー増幅を得た後、チャープ補償（負のチャープ）法を使用してパルス幅を圧縮します。フェムト秒レーザーの開発は非常に重要です。
半導体レーザーには、小型、軽量、高い電気光学変換効率、高い信頼性、長寿命という利点があります。それは、産業処理、生物医学および国防の分野で重要な用途を持っています。
超長距離非リレー光伝送は、光ファイバー通信の分野で常に研究のホットスポットでした。新しい光増幅技術の探求は、非リレー光伝送の距離をさらに伸ばすための重要な科学的問題です。
個別の光ファイバー増幅技術と比較して、分布ラマン増幅 (DRA) 技術は、雑音指数、非線形損傷、利得帯域幅などの多くの側面で明らかな利点を示しており、光ファイバー通信およびセンシングの分野で利点を獲得しています。広く使用されています。高次 DRA は、利得をリンクの奥まで深くして、準損失のない光伝送 (つまり、光信号対雑音比と非線形損傷の最適なバランス) を実現し、光ファイバー伝送の全体的なバランスを大幅に改善します。センシング。従来のハイエンド DRA と比較して、超長ファイバー レーザーに基づく DRA はシステム構造が簡素化され、ゲイン クランプの製造に利点があり、強力な応用可能性を示しています。しかし、この増幅方法は依然としてボトルネックに直面しており、長距離光ファイバー伝送/センシングへの応用が制限されています。
VCESLの正式名称は垂直共振器型面発光レーザであり、半導体エピタキシャルウエハに対して垂直方向に光共振器が形成され、レーザ光が基板面に対して垂直に出射される半導体レーザ構造である。 VCSEL は LED や端面発光レーザー EEL と比較して、精度、小型化、低消費電力、信頼性の点で優れています。
光ファイバーは光ファイバーの略称で、その構造は図に示されています。内層は屈折率の高いコアであり、光を伝送するために使用されます。中間層はクラッドであり、屈折率が低く、コアと全反射条件を形成します。最外層 光ファイバーを保護する保護層です。
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