従来のレーザーは、レーザーエネルギーの熱蓄積を利用して、活性領域の材料を溶かし、さらには揮発させます。その過程で、多数の切りくず、微小亀裂、その他の加工欠陥が発生し、レーザーが長持ちするほど、材料への損傷が大きくなります。超短パルスレーザーは、材料との相互作用時間が非常に短く、単一パルスエネルギーは、あらゆる材料をイオン化し、非ホットメルト冷間加工を実現し、超微細で低ロングパルスレーザーとは比較にならない損傷処理の利点。同時に、材料の選択に関して、超高速レーザーはより広い適用性を持っており、金属、TBCコーティング、複合材料などに適用することができます。
従来のオキシアセチレン、プラズマ、その他の切断プロセスと比較して、レーザー切断には、切断速度が速く、スリットが狭く、熱影響部が小さく、スリットエッジの垂直性が高く、刃先が滑らかで、レーザーで切断できるさまざまな材料の利点があります。 。レーザー切断技術は、自動車、機械、電気、ハードウェア、電化製品の分野で広く使用されています。
1962年に世界初の半導体レーザーが発明されて以来、半導体レーザーは大きな変化を遂げ、他の科学技術の発展を大きく促進し、20世紀で最も偉大な人間の発明の1つと見なされています。過去10年間で、半導体レーザーはより急速に開発され、世界で最も急速に成長しているレーザー技術になりました。半導体レーザーの応用範囲は、オプトエレクトロニクスの全分野をカバーしており、今日のオプトエレクトロニクス科学のコアテクノロジーになっています。小型、シンプルな構造、低入力エネルギー、長寿命、容易な変調、低価格という利点により、半導体レーザーはオプトエレクトロニクスの分野で広く使用されており、世界中の国々で高く評価されています。
ファイバーレーザーとは、希土類をドープしたグラスファイバーを利得媒体として使用するレーザーのことです。ファイバーレーザーは、ファイバー増幅器に基づいて開発することができます。ポンプ光の作用でファイバーに高出力密度が形成されやすくなり、レーザーが発生します。作動物質のレーザーエネルギーレベルは「反転分布」であり、正のフィードバックループ（共振空洞を形成するため）が適切に追加されると、レーザー発振出力を形成することができます。
半導体レーザーは、より早く成熟し、急速に発展しているレーザーの一種です。波長範囲が広く、製造が簡単で、コストが低く、大量生産が容易であり、サイズが小さく、軽量で、寿命が長いため、品種が急速に発展し、用途が広がります。現在、300を超えています。種族。
1980年代半ば、Beklemyshev、Allrn、およびその他の科学者は、実際の作業ニーズに合わせてレーザー技術と洗浄技術を組み合わせ、関連する研究を実施しました。それ以来、レーザー洗浄（レーザー洗浄）の技術的概念が生まれました。汚染物質と基質の関係はよく知られています。結合力は、共有結合、二重双極子、毛細管現象、ファンデルワールス力に分けられます。この力を克服または破壊することができれば、除染の効果が達成されます。
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