1962年に世界初の半導体レーザーが発明されて以来、半導体レーザーは大きな変化を遂げ、他の科学技術の発展を大きく促進し、20世紀で最も偉大な人間の発明の1つと見なされています。過去10年間で、半導体レーザーはより急速に開発され、世界で最も急速に成長しているレーザー技術になりました。半導体レーザーの応用範囲は、オプトエレクトロニクスの全分野をカバーしており、今日のオプトエレクトロニクス科学のコアテクノロジーになっています。小型、シンプルな構造、低入力エネルギー、長寿命、容易な変調、低価格という利点により、半導体レーザーはオプトエレクトロニクスの分野で広く使用されており、世界中の国々で高く評価されています。
ファイバーレーザーとは、希土類をドープしたグラスファイバーを利得媒体として使用するレーザーのことです。ファイバーレーザーは、ファイバー増幅器に基づいて開発することができます。ポンプ光の作用でファイバーに高出力密度が形成されやすくなり、レーザーが発生します。作動物質のレーザーエネルギーレベルは「反転分布」であり、正のフィードバックループ（共振空洞を形成するため）が適切に追加されると、レーザー発振出力を形成することができます。
半導体レーザーは、より早く成熟し、急速に発展しているレーザーの一種です。波長範囲が広く、製造が簡単で、コストが低く、大量生産が容易であり、サイズが小さく、軽量で、寿命が長いため、品種が急速に発展し、用途が広がります。現在、300を超えています。種族。
1980年代半ば、Beklemyshev、Allrn、およびその他の科学者は、実際の作業ニーズに合わせてレーザー技術と洗浄技術を組み合わせ、関連する研究を実施しました。それ以来、レーザー洗浄（レーザー洗浄）の技術的概念が生まれました。汚染物質と基質の関係はよく知られています。結合力は、共有結合、二重双極子、毛細管現象、ファンデルワールス力に分けられます。この力を克服または破壊することができれば、除染の効果が達成されます。
Mamanが最初にレーザーパルス出力を取得して以来、レーザーパルス幅の人間による圧縮のプロセスは、Qスイッチ技術段階、モードロック技術段階、およびチャープパルス増幅技術段階の3つの段階に大別できます。チャープパルス増幅（CPA）は、フェムト秒レーザー増幅中に固体レーザー材料によって生成される自己集束効果を克服するために開発された新しい技術です。最初に、モードロックレーザーによって生成された超短パルスを提供します。 「正のチャープ」では、パルス幅をピコ秒またはナノ秒に拡大して増幅し、十分なエネルギー増幅を得た後、チャープ補償（負のチャープ）法を使用してパルス幅を圧縮します。フェムト秒レーザーの開発は非常に重要です。
半導体レーザーには、小型、軽量、高い電気光学変換効率、高い信頼性、長寿命という利点があります。それは、産業処理、生物医学および国防の分野で重要な用途を持っています。
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