1980年代半ば、Beklemyshev、Allrn、およびその他の科学者は、実際の作業ニーズに合わせてレーザー技術と洗浄技術を組み合わせ、関連する研究を実施しました。それ以来、レーザー洗浄（レーザー洗浄）の技術的概念が生まれました。汚染物質と基質の関係はよく知られています。結合力は、共有結合、二重双極子、毛細管現象、ファンデルワールス力に分けられます。この力を克服または破壊することができれば、除染の効果が達成されます。
Mamanが最初にレーザーパルス出力を取得して以来、レーザーパルス幅の人間による圧縮のプロセスは、Qスイッチ技術段階、モードロック技術段階、およびチャープパルス増幅技術段階の3つの段階に大別できます。チャープパルス増幅（CPA）は、フェムト秒レーザー増幅中に固体レーザー材料によって生成される自己集束効果を克服するために開発された新しい技術です。最初に、モードロックレーザーによって生成された超短パルスを提供します。 「正のチャープ」では、パルス幅をピコ秒またはナノ秒に拡大して増幅し、十分なエネルギー増幅を得た後、チャープ補償（負のチャープ）法を使用してパルス幅を圧縮します。フェムト秒レーザーの開発は非常に重要です。
半導体レーザーには、小型、軽量、高い電気光学変換効率、高い信頼性、長寿命という利点があります。それは、産業処理、生物医学および国防の分野で重要な用途を持っています。
超長距離非リレー光伝送は、光ファイバー通信の分野で常に研究のホットスポットでした。新しい光増幅技術の探求は、非リレー光伝送の距離をさらに伸ばすための重要な科学的問題です。
離散光ファイバ増幅技術と比較して、分散ラマン増幅（DRA）技術は、雑音指数、非線形損傷、ゲイン帯域幅などの多くの面で明らかな利点を示し、光ファイバ通信およびセンシングの分野で利点を獲得しています。広く使われています。高次DRAは、ゲインをリンクの奥深くまで作成して、準損失のない光伝送（つまり、光信号対雑音比と非線形損傷の最適なバランス）を実現し、光ファイバ伝送の全体的なバランスを大幅に改善します。センシング。従来のハイエンドDRAと比較して、超長繊維レーザーをベースにしたDRAは、システム構造を簡素化し、ゲインクランプの製造という利点があり、強力なアプリケーションの可能性を示しています。ただし、この増幅方法は、遠距離光ファイバー伝送/センシングへの適用を制限するボトルネックに直面しています。
VCESLの正式名称は、垂直共振器面発光レーザーです。これは、半導体エピタキシャルウェーハに垂直な方向に光共振空洞が形成され、発光するレーザービームが基板の表面に垂直な半導体レーザー構造です。 LEDや端面発光レーザーEELと比較して、VCSELは、精度、小型化、低消費電力、および信頼性の点で優れています。
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co.、Ltd.-中国光ファイバーモジュール、ファイバー結合レーザーメーカー、レーザーコンポーネントサプライヤーAll RightsReserved。
