HFセンシング用の1273nmDFBバタフライレーザーダイオードは、センサーアプリケーションの要件を満たすように特別に設計されています。これらのデバイスは、高出力電力と広い動作温度範囲を備えています。 14ピンバタフライパッケージは、標準のSONETOC-48デバイスとピン互換です。
808nm 12W チップオンキャリア (COC) レーザー ダイオードは、低コストの標準サブマウント設計で高出力の最先端のパフォーマンスを求めるお客様にとって優れた選択肢です。 BoxOptronics は 8XX ～ 9XX の波長範囲にわたって提供され、CW とパルス動作の両方に対応するシングル モード デバイスやマルチモード デバイスを含むさまざまな構成で提供されます。 BoxOptronics の COC デバイスのアプリケーションには、OEM 医療、ポンプ源、軍事ターゲット、OTDR、測距、照明が含まれます。ご要望に応じてカスタム波長および構成も利用可能です。
この 760nm 2W 高品質ファイバー レーザー ダイオード LD は、ファイバー レーザー ポンピング アプリケーションおよび医療または材料処理アプリケーション向けに開発されました。 760nmからのオプションの波長安定化により、105μmのファイバーから0.22の開口数まで最大2Wのレーザー出力を提供します。
この1550nm 200mW CW DFBファイバーレーザーモジュールは、DFBレーザーチップと高出力利得光路モジュールを採用し、シングルモードファイバーの高出力出力を実現します。専門的に設計されたレーザー駆動および温度制御回路により、レーザーの安全かつ安定した動作が保証されます。
C バンドのエルビウムドープファイバは、C バンドのシングルチャネルおよびマルチチャネルファイバ増幅器、ASE 光源、メトロポリタンエリアネットワーク用の EDFA、CATV 用の EDFA、および DWDM 用の EDFA 用に設計されています。光ファイバーは980 nmまたは1480 nmで励起でき、通信用光ファイバーと接続する際の損失が低く、安定性が良好です。
300um InGaAsフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
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