この1550nm 200mW CW DFBファイバーレーザーモジュールは、DFBレーザーチップと高出力利得光路モジュールを採用し、シングルモードファイバーの高出力出力を実現します。専門的に設計されたレーザー駆動および温度制御回路により、レーザーの安全かつ安定した動作が保証されます。
C バンドのエルビウムドープファイバは、C バンドのシングルチャネルおよびマルチチャネルファイバ増幅器、ASE 光源、メトロポリタンエリアネットワーク用の EDFA、CATV 用の EDFA、および DWDM 用の EDFA 用に設計されています。光ファイバーは980 nmまたは1480 nmで励起でき、通信用光ファイバーと接続する際の損失が低く、安定性が良好です。
300um InGaAsフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。
この1550nm 500mW単一波長CW DFBファイバーレーザーモジュールは、DFBレーザーチップと高出力利得光路モジュールを採用し、シングルモードファイバーの高出力出力を実現します。専門的に設計されたレーザー駆動および温度制御回路により、レーザーの安全かつ安定した動作が保証されます。
L バンドのエルビウム ドープ ファイバは、L バンドのシングル チャネルおよびマルチ チャネル ファイバ アンプ、ASE 光源、メトロポリタン エリア ネットワーク、CATV、および DWDM 用の EDFA 向けにドープされ、最適化されています。高ドーピングによりエルビウム ファイバーの長さを短縮できるため、ファイバーの非線形効果が減少します。このファイバーは 980 nm または 1480 nm でポンピングでき、損失が低く、通信ファイバー接続との一貫性が良好です。
ハイパワー C バンド 1W 30dBm エルビウム ドープ ファイバ アンプ EYDFA (EYDFA-HP) は、信頼性の高い高出力レーザー保護設計と組み合わせた独自の光パッケージング プロセスを使用した、ダブル クラッド エルビウム ドープ ファイバ アンプ技術に基づいています。 1540～1565nmの波長範囲で高出力レーザー出力を実現します。高出力かつ低ノイズなので、光ファイバー通信やLiDARなどに使用できます。
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