放射抵抗性エルビウムイッテルビウムの共ドープ光ファイバは、良好な放射線耐性を持ち、エルビウムドープ光繊維に対する高エネルギーイオン放射の影響を効果的に減らすことができます。光ファイバは、良好な一貫性と高い変換効率を持っています。
この 1610nm 5mW TO-CAN DFB レーザー ダイオードは、低い温度波長係数で広い温度範囲で動作可能な製品です。通信研究、干渉法、ファイバーまたは自由空間での距離測定のための光反射率測定などのアプリケーションに最適です。各デバイスはテストとバーンインを受けます。このレーザーは 5.6 mm TO Can にパッケージ化されています。キャップ内に非球面集束レンズが内蔵されており、集束スポットと開口数 (NA) を SMF-28e+ ファイバーに合わせることができます。
200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ～ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR および光コヒーレンストモグラフィー。チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール オプションも利用可能です。
MultiQuantum Well（MQW）分散フィードバック（DFB）レーザーの1270nm DFB同軸ピグテールレーザーダイオードシリーズは、SONETCWDM伝送の要件を満たすように特別に設計されています。これらのデバイスは、高出力電力と広い動作温度範囲を備えています。それらの非冷却、密閉、同軸ファイバーピグテールパッケージは、中距離および長距離アプリケーションに高速光源を提供する費用効果の高い手段です。
1560nm PMフェムト秒パルスファイバーレーザーモジュールは、光周波数コム、スーパーコンティニュームスペクトル、テラヘルツTHzなどの分野で広く使用されています。パルス幅、パワー、繰り返し周波数などのカスタマイズも承ります。
BoxOptronics エルビウム-イッテルビウム共ドープ マルチモード ファイバーは、主に高出力通信/CATV ファイバー アンプ、レーザー測距、ライダー、アイセーフ レーザーで使用されます。光ファイバは接続損失が低く、光から光への変換効率が高い。吸収係数が高いほど出力パワーが確保され、コストが低くなり、光ファイバは吸収係数と利得スペクトルを一貫して調整できます。
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