915nm 200Wレーザーダイオード高出力ファイバー結合モジュールは、106または200マイクロメートルのファイバーピグテールに最大200ワットのCW光出力電力を提供します。これらのデバイスは、信頼性の高いシングルエミッター設計に基づいています。それらのシングルエミッタベースの設計は、パッケージ全体で非常に優れた熱放散を実現し、長寿命にわたって優れた熱性能をもたらします。結合効率のための高度なプロセスにより、これらのモジュールは0.22 NA以内で出力電力の最大95％を供給できます。 1.5メートル（標準）の終端されていないファイバーピグテールが付属しています。
高出力 1653.7nm レーザー モジュールは、サブキャリア上のチップを備えた平面構造を利用しています。この高出力チップは、エポキシフリーおよびフラックスフリーの 14 ピン バタフライ パッケージに密閉封止されており、高品質のレーザー性能を確保するためにサーミスター、熱電冷却器、およびモニター ダイオードが取り付けられています。メタンガス検知用の 1653.7nm 40mW バタフライ DFB レーザーは、Telcordia GR-468 認定を受けており、RoHS 指令に準拠しています。
915nm 320W 高出力ファイバー結合ダイオード レーザーは、ポンピング、医療、材料加工用途向けに開発されました。このダイオード レーザーは、ファイバー レーザー市場および直接システム メーカー向けに、よりコンパクトなポンプ構成で非常に高い出力パワーを提供できるように設計されています。さまざまな出力パワーが利用可能です。
915nm 380W ファイバー結合シングルエミッターレーザーダイオードモジュールは、多くの溶接用途、ろう付け、クラッディング、修理溶接、硬化およびその他の表面処理における工業標準レーザーダイオードです。ファイバーレーザー励起用の商用製品でもあります。
高出力 1653.7nm レーザー モジュールは、サブキャリア上のチップを備えた平面構造を利用しています。この高出力チップは、エポキシフリーおよびフラックスフリーの 14 ピン バタフライ パッケージに密閉封止されており、高品質のレーザー性能を確保するためにサーミスター、熱電冷却器、およびモニター ダイオードが取り付けられています。メタンガス検出用の 1653nm 40mW BTF レーザー ダイオードは Telcordia GR-468 認定を受けており、RoHS 指令に準拠しています。
エタン C2H6 ガス検知用 1683nm 10mW DFB バタフライ レーザー ダイオードは、センサー アプリケーションの要件を満たすように特別に設計されています。このデバイスは、高出力電力と広い動作温度範囲を特徴としています。 14 ピン バタフライ パッケージは、標準の SONET OC-48 デバイスとピン互換です。
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - 中国光ファイバーモジュール、ファイバー結合レーザーメーカー、レーザー部品サプライヤーすべての権利予約。
