450nm 10W マルチモード ファイバー結合レーザー ダイオードは、106um ファイバーから最大 10W の出力を提供します。ダイオード レーザーは、高輝度、高出力のシングル エミッター ダイオードを独自の光学設計と結合して効率的なファイバー結合を行うことにより、比類のない信頼性と効率を維持します。
1100nm ～ 1650nm 同軸ピグテール Ingaas フォトダイオードは、小型の同軸パッケージと InGaAs 検出器チップを採用しています。非常に低い消費電力、小さい暗電流、低いリターンロス、優れた柔軟性、優れた直線性、コンパクトな設計、小型体積、高い信頼性、および長い耐用年数を特徴としています。この製品シリーズは、CATV 受信機、アナログ システムの光信号受信機、およびパワー ディテクタで最もよく使用されます。
1064nmシングルモードファイバ結合DFBレーザーダイオードは、サブキャリア上にチップを備えた平面構造を利用しています。ハイパワーチップは、エポキシフリーおよびフラックスフリーの14ピンバタフライパッケージに密閉されており、サーミスタ、熱電冷却器、およびモニターダイオードが取り付けられています。この1064nmDFBレーザーダイオードは、温度、駆動電流、および光フィードバックの変化下でも、ノイズのない狭帯域スペクトルを提供します。波長の選択は、利用可能な最高の電力でスペクトル制御の最高のパフォーマンスを必要とするアプリケーションで利用できます。
976nm 400mW PM FBG 安定化ピグテール付きバタフライ レーザー ダイオードと光ファイバー FBG 周波数ロックを組み合わせて、安定したスペクトル波長を確保します。専門的に設計された駆動回路と TEC 制御により、レーザーの安全で安定した動作、シングルモードまたは偏波維持ピグテール出力が保証されます。このレーザーは科学研究や生産テストに使用できます。ファイバーレーザーやファイバーアンプのポンプレーザー光源として適しています。
MOPAシステムのシードソース用の1064nmファイバーレーザーモジュールは、高出力レーザー、1060nmバンドファイバーデバイスのシードレーザーとして使用できます。
大きなコアパルスダブルクラッドイッテルビウムドープ繊維は、中電力パルスレーザーアンプ向けに設計されています。この一連の繊維には、超大規模なコアクラッディング比、高いダメージのしきい値、高い勾配効率、低光子暗化の特性があります。これらは500-1000Wパルスファイバーレーザーで使用でき、医療および産業用材料処理に適用されます
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