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1310nm/1550nm InGaAs フォトダイオードメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

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    1531nm 10mW DFB 14PIN バタフライ レーザー ダイオード NH3 アンモニア ガス センシング内蔵熱電クーラー (TEC)、サーミスター、モニター フォトダイオード、光アイソレーターにより、高品質のレーザー性能を確保します。このレーザー ダイオードは、主に排出ガス制御アプリケーションにおけるアンモニア センシング用に設計されています。優れた同調性により、このレーザーは過酷な環境における多くの特殊な用途に適しています。
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    スペクトル合成技術の場合、合成されるレーザーサブビームの数を増やすことは、合成パワーを上げるための重要な方法の1つです。ファイバーレーザーのスペクトル範囲を拡大すると、スペクトル合成レーザーサブビームの数が増え、スペクトル合成パワーが向上します[44-45]。現在、一般的に使用されているスペクトル合成範囲は1050±1072nmです。狭線幅ファイバーレーザーの波長範囲をさらに1030nmに拡大することは、スペクトル合成技術にとって非常に重要です。そのため、多くの研究機関が短波長（波長1040 nm未満）の細線ワイドファイバーレーザーに焦点を当てています。この論文は主に1030nmファイバーレーザーを研究し、スペクトル合成されたレーザーサブビームの波長範囲を1030nmに拡張します。

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