印刷用915nm 50Wダイオードレーザーメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

人気の製品

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    エルビウム-イッテルビウム共ドープシングルモードファイバ

    BoxOptronics のエルビウム-イッテルビウム共ドープ シングルモード ファイバーは、主に高出力通信/CATV ファイバー アンプ、レーザー測距、ライダー、アイセーフ レーザーで使用されます。光ファイバは接続損失が低く、光から光への変換効率が高い。吸収係数が高いほど出力が保証され、コストが低くなります。光ファイバーは吸収係数と利得スペクトルを一貫して調整できます。
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    高濃度にドープされたリンラマンファイバー

    Boxoptronics の高濃度ドープリンラマンファイバーは、1.1 ~ 1.6 μm のスペクトル範囲で動作する効率的なラマンレーザーおよび増幅器用に設計されています。リンドープファイバの主な利点は、ゲルマニウムドープファイバと比較してラマンシフト値が 3 倍高いことです。この機能により、ラマン ファイバー レーザーと増幅器の設計が大幅に簡素化されます。
  • 1545.32nmDFBバタフライレーザーダイオード2MHz線幅

    1545.32nmDFBバタフライレーザーダイオード2MHz線幅

    1545.32nmDFBバタフライレーザーダイオード2MHz線幅は、単一周波数の発光プロファイルを提供し、電流および/または温度によって隣接するITUグリッド波長に調整できます。このレーザーは分散フィードバックキャビティ設計で、14ピンバタフライパッケージで提供されます。このDFBには、TEC、10K温度センサー、およびMPD(モニターフォトダイオード)が統合されています。最大10mWの出力があります。バタフライパッケージには、SMファイバーまたはPMファイバーピグテールとFC / PCコネクタがあります。
  • 1mm InGaAs / InPPINフォトダイオードチップ

    1mm InGaAs / InPPINフォトダイオードチップ

    1mm InGaAs / InP PINフォトダイオードチップは900nmから1700nmまで優れた応答を提供し、1mm InGaAs / InPPINフォトダイオードチップは高帯域幅の1310nmおよび1550nm光ネットワーキングアプリケーションに最適です。このデバイスシリーズは、高応答性、低暗電流、高帯域幅を提供し、高性能で低感度の受信機設計を実現します。このデバイスは、光レシーバー、トランスポンダー、光伝送モジュール、およびPINフォトダイオードとトランスインピーダンスアンプの組み合わせのメーカーに最適です。
  • 974nm600mWポンプレーザーダイオード

    974nm600mWポンプレーザーダイオード

    974nm 600mWポンプレーザーダイオードは、エルビウムドープファイバ増幅器(EDFA)アプリケーションのポンプ光源として設計されています。ファイバーをレーザーに結合するプロセスと技術により、時間と温度の両方で非常に安定した高出力パワーが可能になります。グレーティングは、波長を安定させるためにピグテールに配置されています。デバイスは、600mWまでのキンクフリー出力で利用できます。 976nm 600mW PM FBG安定化ピグテールバタフライポンプレーザーダイオードシリーズポンプモジュールは、ファイバーブラッググレーティング設計を利用して、波長と電力の安定性を向上させます。この製品は、駆動電流、温度、および光フィードバックの変化に対して優れた波長ロックを保証するように設計されています。
  • 940nm 130W ファイバー結合レーザーダイオードモジュール

    940nm 130W ファイバー結合レーザーダイオードモジュール

    940nm 130W ファイバー結合レーザー ダイオード モジュールは、106um ファイバーから最大 130W の出力を提供します。ダイオード レーザーは、高輝度、高出力のシングル エミッター ダイオードを独自の光学設計と結合して効率的なファイバー結合を行うことにより、比類のない信頼性と効率を維持します。

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