976nm 200mW PM安定化レーザーダイオードメーカー

1550nm DFB 同軸レーザーダイオード内蔵 TEC は、一般に光源の安定化または変調に適用されます。また、安定性の高いレーザー光源は試験装置やOTDR装置にも使用できます。レーザーダイオードは、CWDM-DFBチップ、内蔵アイソレータ、内蔵モニターフォトダイオードおよびTECクーラー、およびSC/APC、SC/PC、FC/APC、FC/PC光ファイバーコネクタで構成されています。レーザー ダイオード デバイスは、モニター フォトダイオードおよびアイソレータとともにコンパクトな密閉アセンブリにパッケージ化されており、さまざまな送信機構成に柔軟に統合できます。顧客は実際の需要に基づいて光ファイバーの長さとピン定義を選択できます。出力は1MW、1270nm～1610nmのCWDM波長が利用可能です。

エタン C2H6 ガス検知用 1683nm 10mW DFB バタフライ レーザー ダイオードは、センサー アプリケーションの要件を満たすように特別に設計されています。このデバイスは、高出力電力と広い動作温度範囲を特徴としています。 14 ピン バタフライ パッケージは、標準の SONET OC-48 デバイスとピン互換です。

スーパーコンティニウム生成用の532nm 1064nmピコ秒パルスファイバーレーザーは、非常に狭いレーザーパルス、高いピークパワーなどの特徴を持っています。この光源は、高出力レーザー、スーパーコンティニューム、非線形光学などの科学研究に使用できます。パルス幅、パワー、繰り返し周波数などのカスタマイズも承ります。

976nm 980nm レーザーダイオード 400mW シングルモードのポンプファイバー結合ライン、冷却された 980nm ポンプレーザーは、最大 700mW のファイバー結合パワーを供給します。モジュールは、永久的なファイバー位置合わせのための独自の特許出願中の技術を使用してパッケージ化されています。レーザー チップとシングルモード ファイバーの先端の間の非常に安定した全軸アライメント ロックを維持することで、優れた耐用年数終了後の光学的および電気的性能を実現しました。気密封止された 14 ピン バタフライ パッケージはファイバー ブラッグ グレーティングとともに利用可能で、熱電クーラー、サーミスター、モニター フォトダイオードが含まれています。ファイバー ブラッグ グレーティングは、拡張されたパワーおよび温度範囲にわたって中心波長を正確にロックします。厳密な波長制御により、976 nm ～ 980 nm の範囲の中心波長が利用可能です。

1350nm DFBバタフライレーザーダイオード、900µmファイバーピグテールを介して120mW出力。ファイバの長さは約1Mで、FC / APCまたはFC / PCコネクタが付いています。レーザーは在庫過剰で、同梱されており、データシートとテストデータが含まれています。

500um InGaAs PINフォトダイオードチップは、900nmから1700nmまでの優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線検出に最適です。フォトダイオードは、高帯域幅およびアクティブアライメントアプリケーションに最適です。