ハイパワー 3W EDFA アンプモジュールメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

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    1290nm 5mW TO-CAN DFB レーザーダイオード

    この 1290nm 5mW TO-CAN DFB レーザー ダイオードは、低い温度波長係数で広い温度範囲で動作可能な製品です。通信研究、干渉法、ファイバーまたは自由空間での距離測定のための光反射率測定などのアプリケーションに最適です。各デバイスはテストとバーンインを受けます。このレーザーは 5.6 mm TO Can にパッケージ化されています。キャップ内に非球面集束レンズが内蔵されており、集束スポットと開口数 (NA) を SMF-28e+ ファイバーに合わせることができます。
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    1060NM 25dB SOA半導体光アンプ

    1060NM 25dB SOA半導体光アンプ製品シリーズは、主に光信号増幅に使用され、出力光学電力を大幅に増加させる可能性があります。製品は、高いゲイン、低電力を備えています 消費、および偏光のメンテナンスなど、その他の特性の中でも、国内制御可能な技術で完全に加工可能です。
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    高吸収エルビウム-イッテルビウム共ドープシングルモードファイバー

    BoxOptronics の高吸収エルビウム-イッテルビウム共ドープ シングルモード ファイバーは、主に高出力通信/CATV ファイバー アンプ、レーザー測距、ライダー、アイセーフ レーザーで使用されます。光ファイバは接続損失が低く、光から光への変換効率が高い。吸収係数が高いほど出力が保証され、コストが低くなります。光ファイバーは吸収係数と利得スペクトルを一貫して調整できます。
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    パルスシリーズダブルクラッドイッテルビウムドープ繊維

    Pulseシリーズは、二重覆われたYtterbiumドープ光ファイバは、中電力および低電力パルスレーザーシードソースとプレアンプを使用するために設計されています。この一連の光ファイバーには、シングルモードに近いシングルモードトランスミッション、低い曲げ損失、低光子暗、勾配効率の高い特性があります。 10-500Wパルスファイバーレーザーで使用し、医療および産業用材料の処理に適用できます。
  • TECを備えた1310nmDFB同軸レーザーダイオード

    TECを備えた1310nmDFB同軸レーザーダイオード

    TECを備えた1310nmDFB同軸レーザーダイオードは、一般的に光源の安定化または変調に使用されます。また、安定性の高いレーザー光源を試験装置やOTDR装置に使用することができます。レーザーダイオードは、CWDM-DFBチップ、内蔵アイソレーター、内蔵モニターフォトダイオードとTECクーラー、およびSC / APC、SC / PC、FC / APC、FC / PC光ファイバーコネクタで構成されています。お客様は、実際の需要に基づいて光ファイバーの長さとピンの定義を選択できます。出力電力は1MW、1270nm〜1610nmのCWDM波長で利用できます。
  • 多波長利得平坦化EDFA増幅器

    多波長利得平坦化EDFA増幅器

    多波長利得平坦化EDFA増幅器は、光ファイバ通信システムで使用される一連のファイバ増幅器です。 Cバンドの複数の波長信号を同時に増幅し、すべての波長で同じゲインを維持できます。ゲインの平坦度は1.5dBmで、ワイドスペクトル、マルチ波長、フラットゲイン、高ゲイン、低ノイズを備えています。

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