980nm 600mWポンプレーザーダイオードメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

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    1550nm 40mW 600Khz DFB バタフライパッケージ狭線幅レーザーダイオード

    1550nm 40mW 600Khz DFB バタフライ パッケージ狭線幅レーザー ダイオードは、独自のシングル DFB チップをベースにしており、独自のチップ設計、高度なパッケージング技術を採用しており、線幅と相対強度ノイズが低く、波長と動作電流に対する感度が低いです。このデバイスは標準の 14 ピン バタフライ パッケージを採用しており、高出力、高安定性、高信頼性を備えています。
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    同軸ピグテール Ingaas フォトダイオード

    1100nm ~ 1650nm 同軸ピグテール Ingaas フォトダイオードは、小型の同軸パッケージと InGaAs 検出器チップを採用しています。非常に低い消費電力、小さい暗電流、低いリターンロス、優れた柔軟性、優れた直線性、コンパクトな設計、小型体積、高い信頼性、および長い耐用年数を特徴としています。この製品シリーズは、CATV 受信機、アナログ システムの光信号受信機、およびパワー ディテクタで最もよく使用されます。
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    この 1550nm 5mW TO-CAN DFB レーザー ダイオードは、低い温度波長係数で広い温度範囲で動作可能な製品です。通信研究、干渉法、ファイバーまたは自由空間での距離測定のための光反射率測定などのアプリケーションに最適です。各デバイスはテストとバーンインを受けます。このレーザーは 5.6 mm TO Can にパッケージ化されています。キャップ内に非球面集束レンズが内蔵されており、集束スポットと開口数 (NA) を SMF-28e+ ファイバーに合わせることができます。
  • 976nm 12W ダイオードレーザーチップ

    976nm 12W ダイオードレーザーチップ

    976nm 12W ダイオードレーザーチップ、出力 12W、長寿命、高効率、工業用ポンプ、レーザー照明、研究開発、その他の分野で広く使用されています。
  • 1550nm連続掃引波長レーザーモジュール

    1550nm連続掃引波長レーザーモジュール

    1550nm連続掃引波長レーザーモジュールは、専用の半導体レーザーチップを採用し、シングルモードファイバーからの高速走査波長レーザー出力を実現します。専門的に設計された駆動回路とTEC制御により、レーザーの安全で安定した動作が保証されます。デスクトップまたはモジュラーパッケージが利用可能です。
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    1060NM 25dB SOA半導体光アンプ

    1060NM 25dB SOA半導体光アンプ製品シリーズは、主に光信号増幅に使用され、出力光学電力を大幅に増加させる可能性があります。製品は、高いゲイン、低電力を備えています 消費、および偏光のメンテナンスなど、その他の特性の中でも、国内制御可能な技術で完全に加工可能です。

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