+86-18320849226  
  sales@boxoptronics.com
製品
家 > 製品 > InGaAsフォトダイオード

InGaAsフォトダイオードメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

関連製品

人気の製品

  • 975nm20Wファイバー結合半導体レーザーモジュール

    975nm20Wファイバー結合半導体レーザーモジュール

    975nm 20Wファイバー結合半導体レーザーモジュールには、次の重要な機能があります。これらのレーザーダイオードは、105 / 125umの取り外し可能なファイバーを備え、高出力で、長寿命で、高い結合効率を備えています。一般的なアプリケーションには、ポンプと医療分野での使用が含まれます。
  • 1550nm高出力ナノ秒パルスファイバーレーザー

    1550nm高出力ナノ秒パルスファイバーレーザー

    1550nm高出力ナノ秒パルスファイバーレーザーは、高出力利得ファイバーモジュールを使用し、専用の駆動および温度制御回路と連携して、高ピークおよび高エネルギーのレーザーパルスを出力します。レーザーの波長と出力は安定しており、モジュール設計はシステム統合に便利です。レーザーレーダー、分散型光ファイバーセンシングシステムなどに使用できます。
  • 1X2 1310/1550nm CWDM 波長 WDM

    1X2 1310/1550nm CWDM 波長 WDM

    1X2 1310/1550nm CWDM 波長 WDM 波長分割マルチプレクサは、2 つの入力からの光を 1 本のファイバに結合するように設計されています。この WDM は 1310 nm および 1550 nm の波長用に設計されています。すべての融着型ファイバ デバイスと同様に、これは双方向です。これを使用して、1 つの入力から 2 つの波長を 2 つの出力に分割できます。他のCWDM(1270nm～1610nm)波長WDMも提供できます。
  • 1550nm 5W 単一波長 DFB エルビウムドープファイバーレーザーモジュール

    1550nm 5W 単一波長 DFB エルビウムドープファイバーレーザーモジュール

    この1550nm 5W単一波長DFBエルビウムドープファイバーレーザーモジュールは、DFBレーザーチップと高出力利得光路モジュールを採用し、シングルモードファイバーの高出力出力を実現します。専門的に設計されたレーザー駆動および温度制御回路により、レーザーの安全かつ安定した動作が保証されます。
  • 200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD

    200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD

    200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ～ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR および光コヒーレンストモグラフィー。チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール オプションも利用可能です。
  • C+Lバンド広波長ASE広帯域光源モジュール

    C+Lバンド広波長ASE広帯域光源モジュール

    当社の工場からC + Lバンド広波長ASEブロードバンド光源モジュールを安心してご購入いただけます。最高のアフターサービスとタイムリーな納品を提供します。
  • 関連ブログ
  • レビュー

  • ファイバーレーザーの特徴

  • 1 μm 波長で動作する高出力レーザー

    ファイバー レーザー、ダイオード励起固体 (DPSS) レーザー、直接ダイオード レーザーなど、1 μm の波長で動作する高出力レーザーは、高度に自動化された製造ラインに導入されることが増えています。これらにより、溶接、切断、ろう付け、クラッディング、表面処理、バルク材料の加熱、高度に局所的な加熱、積層造形などの幅広い材料処理アプリケーションが可能になります。最適なレーザー設計は、半導体レーザー、特殊な光学系、および熱管理ソリューションを適切に選択することで達成できます。

  • レーザーダイオードとは

    レーザー-レーザー光を放射できるデバイス。最初のマイクロ波量子増幅器は1954年に製造され、高コヒーレントなマイクロ波ビームが得られました。 1958年、A.L。XiaoluoとC.H.タウンズは、マイクロ波量子増幅器の原理を光周波数範囲に拡張しました。 1960年、T.H。メイマンらが最初のルビーレーザーを作りました。 1961年、A。JiaWenらはヘリウムネオンレーザーを製造しました。 1962年、R.N。 Hallらは、ガリウムヒ素半導体レーザーを作成しました。将来的には、ますます多くの種類のレーザーが登場するでしょう。作動媒体に応じて、レーザーはガスレーザー、固体レーザー、半導体レーザー、色素レーザーの4つのカテゴリーに分類できます。最近、自由電子レーザーも開発されました。高出力レーザーは通常、パルス出力です。

  • フェムト秒レーザー技術の開発と応用

    Mamanが最初にレーザーパルス出力を取得して以来、レーザーパルス幅の人間による圧縮のプロセスは、Qスイッチ技術段階、モードロック技術段階、およびチャープパルス増幅技術段階の3つの段階に大別できます。チャープパルス増幅（CPA）は、フェムト秒レーザー増幅中に固体レーザー材料によって生成される自己集束効果を克服するために開発された新しい技術です。最初に、モードロックレーザーによって生成された超短パルスを提供します。 「正のチャープ」では、パルス幅をピコ秒またはナノ秒に拡大して増幅し、十分なエネルギー増幅を得た後、チャープ補償（負のチャープ）法を使用してパルス幅を圧縮します。フェムト秒レーザーの開発は非常に重要です。

  • 光ファイバーセンサー

    光ファイバーセンサーは、測定対象物の状態を測定可能な光信号に変換するセンサーです。光ファイバーセンサーの動作原理は、光源からの入射光ビームを光ファイバーを通じて変調器に送ることです。変調器と外部測定パラメータとの間の相互作用によって、強度、波長、周波数、位相、偏光状態などの光の光学特性が決まります。光は変化して変調された光信号となり、その後オプトエレクトロニクスに送信されます。デバイスは光ファイバを介して復調器を通過し、測定されたパラメータを取得します。プロセス全体を通じて、光ビームは光ファイバーを介して導入され、変調器を通過してから放射されます。光ファイバーの役割は、まず光ビームを伝送することであり、次に光変調器として機能することです。

  • センサーの主な分類

関連検索

InGaAsフォトダイオードピグテール

お問い合わせを送信

Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co.、Ltd.-中国光ファイバーモジュール、ファイバー結合レーザーメーカー、レーザーコンポーネントサプライヤーAll RightsReserved。