パルスエルビウムドープファイバアンプメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

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    500um大面積InGaAsアバランシェフォトダイオードチップは、低暗、低静電容量、高アバランシェ利得を持つように特別に設計されています。このチップを使用すると、高感度の光受信機を実現できます。
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    200um InGaAs アバランシェ フォトダイオード APD は、市販されている最大の InGaAs APD で、1100 ~ 1650nm の波長範囲全体で高い応答性と非常に速い立ち上がり時間と立ち下がり時間を備えています。1550nm でのピーク応答性は、目に安全な測距アプリケーション、自由空間光通信、 OTDR および光コヒーレンストモグラフィー。チップは修正された TO パッケージに密閉されており、ピグテール オプションも利用可能です。

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