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1030nmファイバー結合レーザーダイオードメーカー

私たちの工場は、ファイバーレーザーモジュール、超高速レーザーモジュール、高出力ダイオードレーザーを提供しています。当社は外国のプロセス技術を採用し、高度な生産および試験装置を備え、デバイスカップリングパッケージで、モジュール設計は最先端の技術とコスト管理の利点を持ち、完璧な品質保証システムは顧客に高性能を提供することを保証できます、信頼性の高い高品質のオプトエレクトロニクス製品。

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    L バンドのエルビウム ドープ ファイバは、L バンドのシングル チャネルおよびマルチ チャネル ファイバ アンプ、ASE 光源、メトロポリタン エリア ネットワーク、CATV、および DWDM 用の EDFA 向けにドープされ、最適化されています。高ドーピングによりエルビウム ファイバーの長さを短縮できるため、ファイバーの非線形効果が減少します。このファイバーは 980 nm または 1480 nm でポンピングでき、損失が低く、通信ファイバー接続との一貫性が良好です。
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  • レビュー

  • 光ファイバー関連の知識

    光ファイバーは光ファイバーの略称で、その構造は図に示されています。内層は屈折率の高いコアであり、光を伝送するために使用されます。中間層はクラッドであり、屈折率が低く、コアと全反射条件を形成します。最外層 光ファイバーを保護する保護層です。

  • 半導体レーザーダイオードアプリケーション

    技術とプロセスの発展に伴い、現在実用化されている半導体レーザーダイオードは複雑な多層構造を持っています。

  • センサーの主な分類

    センサーは、測定されている情報を感知できる検出装置であり、感知された情報を電気信号または特定の規則に従って出力されるその他の必要な形式の情報に変換して、情報、記録および制御要件。

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  • フェムト秒レーザー技術の開発と応用

    Mamanが最初にレーザーパルス出力を取得して以来、レーザーパルス幅の人間による圧縮のプロセスは、Qスイッチ技術段階、モードロック技術段階、およびチャープパルス増幅技術段階の3つの段階に大別できます。チャープパルス増幅（CPA）は、フェムト秒レーザー増幅中に固体レーザー材料によって生成される自己集束効果を克服するために開発された新しい技術です。最初に、モードロックレーザーによって生成された超短パルスを提供します。 「正のチャープ」では、パルス幅をピコ秒またはナノ秒に拡大して増幅し、十分なエネルギー増幅を得た後、チャープ補償（負のチャープ）法を使用してパルス幅を圧縮します。フェムト秒レーザーの開発は非常に重要です。

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